深圳会展中心（福田）
2025年8月26日-28日
近日，芯塔电子650V/60mΩ DFN8*8封装SiC MOSFET产品正式发布，产品型号代码TM2G0060065M。目前产品已通过高端工业电源客户验证，并获得多家客户的意向订单。
芯片方面，技术团队结合先进的晶圆减薄技术，进一步提高了器件的功率密度和效率，可以应用在更高频的环境，从而大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器的尺寸，对比前一代产品具有更小的芯片尺寸、更低的米勒电容、更高的抗干扰能力。芯塔电子产品的设计及验证均按照车规级标准执行，技术参数可对标国际一线公司的最新产品，满足高端领域的国产化替代需求。
封装方面，DFN8*8与传统封装相比，贴片封装外形大大减少了封装尺寸大小，优化了体积和空间占比，封装厚度<1mm。更因为其无引脚设计，相对于TO-252和TO-263而言，寄生电感更低，主要的冷却路径是通过裸露的金属焊盘到PCB，提高封装的散热能力。加大式的基岛设计，在封装上满足近似插件功率器件的要求；优异的导热性能，直接随PCB贴合散热；小体积设计，可以大幅减少产品空间占用。
芯塔电子第二代SiC MOSFET产品通过优化设计，不但获得了更高的性价比，同时也改善了器件动态特性，获得了更低的开关损耗，结合DFN8*8封装优异特性以满足工业领域客户对高性能、高可靠性、小尺寸的高端功率半导体器件需求。
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