深圳会展中心（福田）
2025年8月26日-28日
最新一代的宽禁带半导体材料SIC具有耐高温、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点；可以满足现代电力电子技术对半导体器件大电流、高压、高频、低损、高温、高功率密度、高可靠性、长寿命等高标准要求；在消费、工业、汽车、航空航天等领域都有重要应用前景。
高击穿场强（SI的10倍）→高耐压；芯片耐压等级更高、同耐压下芯片厚度更薄、内阻更低、面积更小、损耗更低、工作频率更高、功率密度更高
高禁带宽度（SI的3倍）→高工作温度；芯片内部理论极限温度，SIC可达600℃以上；
高热导率（SI的3倍）→低热阻；提高散热效率，有利于产品的小型化，提升功率密度；
专注于功率器件专业领域十二年的“国家级专精特新重点小巨人企业”威兆半导体新推出了第三代半导体SIC MOS 1200V40mohm_
HCC*120R040H1，该产品封装采用TO-247和TO-247-4L，可满足不同客户的应用需求。该产品采用自对准Planar技术和新型栅氧氮化技术，具有沟道密度高、导通压降低、沟道迁移率高、界面态低、参数一致性好，可靠性高等特点。产品依据国际行业通用可靠性标准进行考核，可满足于工业、汽车等应用需求。
产品性能
经过公司内部详细测试评估HCC*120R040H1，其各方面参数都完成设计目标，达到同行先进水平。与国外友商同类两颗产品C***40120、S*****40**进行比较，详情如下：
静态参数：
动态参数：
动态波形_MOS：
①600V40A开启、关断波形（25℃&150℃）
HCCW120R040H1 VS C***40120*
VDD=600V,VGS=18V,ID=40A,Ron=10Ω,Roff=10Ω,Ls=100uH,Tj=25℃
HCCW120R040H1 VS C***40120* VDD=600V,VGS=18V,ID=40A,Ron=10Ω,Roff=10Ω,Ls=100uH,Tj=150℃
HCCW120R040H1 VS S*****40** VDD=600V,VGS=18V,ID=40A,Ron=10Ω,Roff=10Ω,Ls=100uH,Tj=25℃
HCCW120R040H1 VS S*****40** VDD=600V,VGS=18V,ID=40A,Ron=10Ω,Roff=10Ω,Ls=100uH,Tj=150℃
②600V80A关断波形（25℃&150℃）：
HCCW120R040H1
VS C***40120*/S*****40**
VDD=600V,VGS=18V,ID=80A,Ron=10Ω,Roff=10Ω,Ls=100uH,Tj=25℃
HCCW120R040H1 VS C***40120*/S*****40** VDD=600V,VGS=18V,ID=80A,Ron=10Ω,Roff=10Ω,Ls=100uH,Tj=150℃
动态波形_二极管：
①600V40A反向恢复波形（25℃&150℃）
HCCW120R040H1
VDD=600V,VGS=18V,ID=40A,Ron=10Ω,Roff=10Ω,Ls=100uH
C***40120* VDD=600V,VGS=18V,ID=40A,Ron=10Ω,Roff=10Ω,Ls=100uH
S*****40** VDD=600V,VGS=18V,ID=40A,Ron=10Ω,Roff=10Ω,Ls=100uH
通过以上实测数据和波形，可以看出HCC*120R040H1的静动态参数平衡较好，比较好地兼顾了导通损耗和开关损耗，有利于控制总体损耗提高系统效率，降低器件温升；内阻高温上升比例比较小；开启、关断过程中波形良好平滑，能做到无振荡或低振荡，有利于降低动态损耗，且对EMC友好；寄生二极管反向恢复软度良好，无振荡。该产品比较适合用于有高频、高压、高效、高功率密度等需求的各类电力转换装置中。
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